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SUPERALD Exploiter原子层沉积设备
Exploiter原子层沉积系统是原速科技自主开发的新一代智能化ALD研发系统,广泛适用于纳米材料、微机电系统、催化剂、生物膜材料及光电材料等领域。
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SUPERALD Exploiter原子层沉积(ALD)系统
Exploiter原子层沉积系统是一款具有自主知识产权的新一代自动化高速ALD生产系统,适用于半导体、柔性显示、光学薄膜、太阳能电池及锂电池等领域的工业批量化生产。
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SUPERALD Exploiter原子层沉积(ALD)系统
Exploiter原子层沉积系统-HV集成传送反应腔是一款具有自主知识产权的新一代自动化高速ALD生产系统,适用于半导体、柔性显示、光学薄膜、太阳能电池及锂电池等领域的工业批量化生产。
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SUPERALD Exploiter原子层沉积(ALD)系统
Exploiter原子层沉积系统(HV集成传送反应腔)是一款具有自主知识产权的新一代自动化高速ALD生产系统,适用于半导体、柔性显示、光学薄膜、太阳能电池及锂电池等领域的工业批量化生产。
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SUPERALD Exploiter原子层沉积(ALD)系统
Exploiter原子层沉积系统是一款具有自主知识产权的新一代自动化高速ALD研发系统,适用于半导体、柔性显示、光学薄膜、太阳能电池及锂电池等领域的工业批量化生产。
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SUPERALD Exploiter原子层沉积(ALD)系统
Exploiter E200P原子层沉积系统(粉末颗粒包裹反应腔)是原速科技自主开发的新一代智能化ALD研发系统,可在平面衬底、粉末颗粒表面、高深宽比结构及其他复杂三维结构上沉积薄膜。
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SUPERALD Exploiter原子层沉积大尺寸沉积系统
工艺温度:温度范围:RT~500°C 精度:土1°C(可定制);前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
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SUPERALD Exploiter原子层沉积Thermal-ALD
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积
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SUPERALD Exploiter原子层沉积超高真空系列 UHV ALD
工艺温度:温度范围:RT~400°C 精度:土1°C(可定制);前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
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